IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的缩写，是一种用于高压、大电流开关的半导体器件。IGBT 继承了功率 MOSFET 的低驱动功率、易控制等优点，同时还具有双极性晶体管的低导通电阻和快速开关特性。

IGBT结构由 N 型主结和 P 型缓冲层组成，带有三个控制端：栅极、集电极和发射极。它的工作原理类似于三极管，但是由于引入了栅结构，XILINX，赛灵思，FPGA，CPLD，芯片从而实现了更好的控制性能。

IGBT广泛应用于交流变频器、电力电子、电机驱动、照明设备、风力发电、太阳能电池、高速列车等领域。IGBT具有耐高压、低开通压降、可控性好、响应速度快等特点，已成为现代电力电子器件中最重要的一种。

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 [1]IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

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